إس كيه هاينكس تعتزم استثمار 38 مليار دولار لبناء مصانع جديدة لرقائق الذاكرة

 

أعلنت شركة إس كيه هاينكس SK Hynix، يوم الجمعة 7 أغسطس/ آب، أنها ستستثمر 54 تريليون وون كوري، نحو 38.1 مليار دولار،  لبناء مصنعين جديدين لإنتاج رقائق الذاكرة، وذلك في ظل استمرار نمو الطلب على هذه المكونات التي تُعد ركيزة أساسية لتقنيات الذكاء الاصطناعي.

وكشفت عملاقة التكنولوجيا الكورية الجنوبية عن خطة لاستثمار 35.2 تريليون وون في مصنع تصنيع (يُعرف بـ "fab") في منطقة يونغين يحمل اسم Y2، مع تخصيص 19.1 تريليون وون لمنشأة أخرى في منطقة تشونغجو تحمل اسم "M17".

وتأتي هذه الخطوة وسط ارتفاع حاد في أسعار الذاكرة، مدفوعاً بنقص الإمدادات والطلب الهائل من الشركات التي تبني البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، مثل مراكز البيانات، وشركات الرقائق مثل إنفيديا Nvidia، التي تحتاج إلى كميات كبيرة من ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM).

وقد أدى هذا الارتفاع في الأسعار إلى صعود قوي في أسهم كبرى الشركات المنتجة للذاكرة - وهي إس كيه هاينكس وسامسونغ ومكيرون حيث يراهن المستثمرون على استمرار اختلال التوازن في العرض لفترة من الزمن.

وتواجه إس كيه هاينكس منافسة متزايدة من سامسونغ، التي استعادت المركز الأول من حيث الحصة السوقية في سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) خلال الربع الثاني، وفقاً لبيانات شركة "كاونتربوينت ريسيرش" (Counterpoint Research)؛ وتُعد ذاكرة DRAM نوعاً من الذاكرة التي تشهد طلباً مرتفعاً للغاية.

وفي تصريح لشبكة CNBC، قال نيل شاه، نائب الرئيس للأبحاث والشريك المؤسس لشركة "كاونتربوينت ريسيرش": "لقد دفع هذا الأمر شركة 'إس كيه هاينكس' لضخ استثمارات رأسمالية جديدة لتوسيع نطاق عملياتها. ورغم أن هذه الخطوة لن تغير حجم الإنتاج الحالي للشركة على المدى القريب، إلا أنها تهدف إلى تعزيز القدرات الإنتاجية بحلول عام 2029 وما بعده".

وأضاف شاه: "عند النظر إلى السوق بشكل أوسع، نجد أن التوسعات التي تقوم بها شركات متعددة - مثل سامسونغ وإس كيه هاينكس وميكرون وCXMT، ستؤدي إلى زيادة كبيرة في المعروض العالمي حتى عام 2028. ومع ذلك، ونظراً لأن نمو الطلب يفوق وتيرة زيادة القدرات الإنتاجية المخطط لها، فمن غير المرجح أن تشهد أسعار الذاكرة انخفاضاً قبل نهاية عام 2028".

الخطط المستقبلية

يُعد مصنع Yongin Y2 ثاني مصنع من بين أربعة مصانع تخطط شركة SK Hynix لإنشائها ضمن مجمع Yongin"لأشباه الموصلات. وقد صرحت الشركة بأن هذا المصنع سيكون بمثابة قاعدة لإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM). ومن المقرر أن تبدأ أعمال البناء في يوليو 2027، على أن يتم افتتاح أول غرفة نظيفة (cleanroom) في يونيو 2029 لإنتاج ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) وغيرها من منتجات الجيل التالي من ذاكرة DRAM.

وتُعد الغرفة النظيفة بيئة خاضعة للرقابة الصارمة، وهي عنصر أساسي في عملية تصنيع الرقائق الإلكترونية.

كما أعلنت SK Hynix أن منشأة Cheongju ستتولى إنتاج ذاكرة NAND، وهو منتج يشهد "طلباً متزايداً بسرعة"، وفقاً للشركة. وستبدأ أعمال إنشاء مصنع Cheongju M17 في فبراير 2027، مع افتتاح أول غرفة نظيفة فيه في ديسمبر 2028.

وجاء في بيان صحفي صادر عن SK Hynix: "في عصر الذكاء الاصطناعي، لا تكفي القدرة التنافسية التكنولوجية وحدها؛ إذ تُعد القدرة على توريد الكميات المطلوبة في اللحظة الدقيقة التي يحتاجها العملاء الميزة التنافسية الأهم". وأضافت الشركة: "لقد اتخذنا قرار الاستثمار هذا بعد دراسة متأنية ومستفيضة لطلب السوق".

وتشكل هذه الاستثمارات المرحلة التالية من "الخطة الشاملة" للشركة، التي أُعلن عنها العام الماضي، والتي تتضمن استثمار SK Hynix لمبلغ 600 تريليون وون في مجمع "Yongin" لأشباه الموصلات، و100 تريليون وون لتوسيع قاعدة الإنتاج التابعة لها في "Cheongju".